表H2．7．1．3・級別Cにおける制御用器具の絶縁距離の最小値

（備考）（1）空問距離L−Lは、裸充電部間及び充電部と接地金属体との問に適用する。

（2）空間距離L−Aは、充電部と偶発的に危険となり得る金属体との間に適用する。

（3）沿面距離は、絶縁物の種別及び形状によって決める。

“a”は、セラミック（ステアタイト、磁器）及び他の絶縁材料でも、特に漏れ電流に対し安全なリブ又は垂直面をもった絶縁物で、実験的にセラミックを用いたと同様と認められるもので、トラッキングインデックス140V以上の材料（例えば、フェノール樹脂成形品等）に適用する。“b”は、その他の絶縁材料の場合に適用する。

（4）空間距離L−Aが、それに対応した沿面距離“a”又は“b”よりも大きい場合には、裸充電部と操作者が容易に触れることができ、かつ、絶縁が劣化することによって充電部となる絶縁金属体との間の沿面距離は、L−A以上でなければならない。

（5）電流値は、定格通電電流の値で示す。

−3．　空間距離及び沿面距離は、次により決定する。（図H2．7．1−1．参照）なお、以下において級別Aとは、規則H編2，7．1−2．に示す保護状態及び周囲条件を意味する。

（1）空闇距離は、裸充電部間の最短距離で決定し、級別Aは規則H編表H2．10、級別B及びCはそれぞれ表H2．7．1−2．及び表H2−7．1−3．に示す値を最小とする。

（2）沿面距離は、裸充電部間にある絶縁物の表面に沿った最短距離で決定し、級別Aは規則H編表H2．10、級別B及びCはそれぞれ表H2．7．1−2．及び表H2．7．1−3．に示す値を最小とする。ただし、絶縁物の表面に次のみぞが存在するものでは、そのみぞはないものとして決定する。

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